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Fairchild/ON Semiconductor FDP150N10A
| Artikelnummer: | FDP150N10A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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Fairchild/ON Semiconductor FDP150N10A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDP150N10A.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 50A, 10V Verlustleistung (max) 91W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) FDP150N10A Einzelheiten PDF [English] FDP150N10A PDF - EN.pdf -
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